中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功

2025/1/22 09:17:43

【中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功】《科创板日报》22日讯，中国科学院微电子研究所宣布，该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。