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首页 > 新闻 > 耐火材料

耐火材料

  • 晶盛机电:首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线

    2025/9/26 11:21:45
    【晶盛机电:首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线】9月26日电,据晶盛机电官微消息,9月26日,首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化。
  • 赛晶科技:赛晶半导体与三安半导体签订战略合作框架协议

    2025/9/12 13:01:46
    【赛晶科技:赛晶半导体与三安半导体签订战略合作框架协议】9月12日电,赛晶科技在港交所公告,9月12日,公司旗下子公司赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(简称“赛晶半导体”)与湖南三安半导体有限责任公司(简称“三安半导体”)签订战略合作框架协议,正式建立全面战略合作伙伴关系。赛晶半导体主要从事...
  • Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用

    2025/9/11 15:08:49
    【Wolfspeed宣布200mm碳化硅材料产品组合开启大规模商用】9月11日电,全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布,公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前,公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后,市场反响积极且效益显著。 (证券时报)
  • 东芝与SICC将探索碳化硅(SiC)功

    2025/8/22 12:33:12
    8月22日电,东芝与SICC将探索碳化硅(SiC)功率芯片合作。
  • 全国最大碳化硅晶圆厂在武汉投产

    2025/5/29 11:47:46
    【全国最大碳化硅晶圆厂在武汉投产】5月29日电,据“湖北发布”,长飞先进武汉基地首批碳化硅晶圆日前正式投产,这是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地,可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%,有望破解我国新能源产业缺芯困局。碳化硅是新一代信息技术的基础材料,被称为新能源时代的“技术心脏”,是全球争相抢占...
  • 华泰证券:比亚迪闪充技术或推动高压超充趋势

    2025/3/19 08:10:23
    【华泰证券:比亚迪闪充技术或推动高压超充趋势】3月19日电,华泰证券指出,3月17日,比亚迪发布“超级e平台”,成为全球首个量产的乘用车1000V高压平台,公司同时发布兆瓦闪充技术,闪充电池内阻降低50%,充电电流最大达1000A,充电倍率最高达10C,实现一秒充电续航2公里。我们推测该技术的...
  • 应用场景不断扩充 国产碳化硅大规模“上车”可期

    2025/3/15 06:57:08
    【应用场景不断扩充 国产碳化硅大规模“上车”可期】3月15日电,随着碳化硅产业逐步迈入8英寸时代,企业竞争也将愈发白热化。多位专家在日前举行的2025功率半导体制造及供应链高峰论坛上表示,对于已经进入汽车等高端市场的产业链玩家而言,过硬的产品质量和稳定的供应能力才是长期立足发展之本。受益于成本...
  • 安意法半导体碳化硅晶圆厂今日正式通线

    2025/2/27 16:05:50
    【安意法半导体碳化硅晶圆厂今日正式通线】《科创板日报》27日讯,今日,三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。据介绍,预计该项目将在2025年四季度实现批量生产,项目规划全面达产后将年产约48万片的8英寸碳化硅晶圆。在重庆高新区西永微电子产业园内,三安光电还同期配套一条...
  • 我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

    2025/2/2 22:08:44
    【我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件】2月2日电,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院...
  • 中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功

    2025/1/22 09:17:43
    【中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功】《科创板日报》22日讯,中国科学院微电子研究所宣布,该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作,共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统,已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用...

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投资有风险,入市需谨慎。本分析仅供参考,不构成任何投资建议。